集成電路基本工藝包括基片外延生長掩模制造、曝光技術、刻蝕、氧化、擴散、離子注入、多晶硅淀積、金屬層形成。

　　下面我們分別對這些關鍵工藝做一些簡單的介紹。
　　一、外延工藝

　　外延工藝是60年代初發展起來的一種非常重要的技術，盡管有些器件和IC可以直接做在未外延的基片上，但是未經過外延生長的基片通常不具有制作期間和電路所需的性能。外延生長的目的是用同質材料形成具有不同摻雜種類及濃度而具有不同性能的晶體層。常用的外延技術主要包括氣相、液相金屬有機物氣相和分子束外延等。其中，氣相外延層是利用硅的氣態化合物或液態化合物的蒸汽在襯底表面進行化學反應生成單晶硅，即CUD單晶硅；液相外延則是由液相直接在襯底表面生長外延層的方法；金屬有機物氣相外延則是針對Ⅲ?Ⅴ族材料，將所需要生長的Ⅲ?Ⅴ族元素的源材料以氣體混合物的形式進入反應器中加熱的生長區，在那里進行熱分解與沉淀反映，而分子束外延則是在超高真空條件下，由一種或幾種原子或分子束蒸發到襯底表面形成外延層的方法。

　　二、掩模板的制造

　　掩模板可分成整版及單片版兩種，整版按統一的放大率印制，因此稱為1×掩模，在一次曝光中，對應著一個芯片陳列的所有電路的圖形都被映射到基片的光刻膠上。單片版通常八九、實際電路放大5或10倍，故稱作5×或10×掩模，其圖案僅對應著基片上芯片陳列中的單元。

　　三、光刻技術
　　光刻是集成電路工藝中的一種重要加工技術，在光刻過程中用到的主要材料為光刻膠。光刻膠又稱為光致抗蝕劑，有正膠、負膠之分。其中，正膠曝光前不溶而曝光后可溶，負膠曝光前可溶而曝光后不可溶。
　　光刻的步驟：①晶圓涂光刻膠；②曝光；③顯影；④烘干
　　常見的光刻方法：①接觸式光刻；②接近式光刻；③投影式光刻

　　其中，接觸式光刻可得到比較高的分辨率，但容易損傷掩模版和光刻膠膜；接近式光刻，則大大減少了對掩模版的損傷，但分辨率降低；投影式光刻，減少掩模版的磨損也有效提高光刻的分辨率。

　　四、刻蝕技術

　　經過光刻后在光刻膠上得到的圖形并不是器件的最終組成部分，光刻只是在光刻膠上形成臨時圖形，為了得到集成電路真正需要的圖形，必須將光刻膠上的圖形轉移到硅膠上，完成這種圖形轉換的方法之一就是將未被光刻膠掩蔽的部分通過選擇性腐蝕去掉。

　　五、氧化

　　在集成電路工藝中常用的制備氧化層的方法有：①干氧氧化；②水蒸氣氧化；③濕氧氧化。

　　干氧氧化：高溫下氧與硅反應生成sio2的氧化方法；

　　水蒸氣氧化：高溫下水蒸氣與硅發生反應的氧化方法；
　　濕氧氧化：氧化首先通過盛有95%c左右去離子睡的石英瓶，將水汽帶入氧化爐內，再在高溫下與硅反映的氧化方法。

　　影響硅表面氧化速率的三個關鍵因素：溫度、氧化劑的有效性、硅層的表面勢。

　　六、擴散與離子注入

　　擴散工藝通常包括兩個步驟：即在恒定表面濃度條件下的預淀積和在雜志總量不變的情況下的再分布。預淀積只是將一定數量的雜質引入硅晶片表面，而最終的結深和雜質分布則由再分布過程決定。

　　常見的擴散方法主要有固態源擴散和氣態源擴散等。

　　離子注入是將具有很高能量的帶點雜質離子射入半導體襯底中的摻雜技術，它的摻雜深度由注入雜質離子的能量、雜質離子的質量決定，摻雜濃度由注入雜質離子的劑量決定。高能離子射入靶后，不斷與襯底中的原子以及核外電子碰撞，能量逐步損失，最后停止下來。

　　離子注入法于20世紀50年代開始研究，20世紀70年代進入工業應用階段。隨著VLSI超精細加工技術的發展，現已成為各種半導體摻雜和注入隔離的主流技術。在離子注入后，由于會在襯底中形成損傷，而且大部分注入的離子又不是以替位的形式位于晶格上，為了激活注入到襯底中的雜質離子，并消除半導體襯底中的損傷，需要對離子注入后的硅片進行退火。

　　退火，也叫熱處理，作用是消除材料中的應力或改變材料中的組織結構，以達到改善機械強度或硬度的目的。

　　七、淀積

　　器件的制造需要各種材料的淀積，這些材料包括多晶硅、隔離互連層的絕緣材料和作為互連的金屬層。

　　在厚絕緣層上生長多晶硅的一個常用方法是“化學氣相淀積”（CVD），這種方法是將晶片放到一個充滿某種氣體的擴散爐中，通過氣體的化學反應生成所需要的材料。